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PhotoMOSリレー用語説明

1. 用語説明
2. 信頼性試験項目

1. 用語説明

用途		記号	説明
入力側	LED電流	I_F	入力端子間を順方向バイアスによって流れる電流。
	LED逆電圧	V_R	入力端子間逆方向耐圧。
	せん頭順電流	I_FP	順電流の最大瞬時値。
	動作LED電流	I_Fon	出力端子間に規定の電源電圧および負荷を接続した状態においてLED電流を増加し出力がONする時の電流。
	復帰LED電流	I_Foff	出力端子間に規定の電源電圧および負荷を接続して動作させた後、LED電流を減少し、出力がOFFする時の電流。
	LED電圧降下	V_F	順方向電流による入力端子間の電圧降下。
	許容損失	P_in	入力端子間で許容し得る電力損失。
出力側	負荷電圧	V_L	PhotoMOSリレーを正常に動作させるための出力側電源電圧範囲。交流の場合はピーク値であらわす。
	連続負荷電流	I_L	規定の周囲温度条件のもとでPhotoMOSリレーの出力端子間に連続して流し得る最大電流値。交流の場合は、ピーク値であらわす。
	オン抵抗	R_on	入力端子に規定のLED電流を流し、出力端子に規定の連続負荷電流を流した時の出力端子間の電圧降下V_DS（on）より次の式で求める。 Ron=V_DS（on）/I_L
	開路時漏れ電流	I_Leak	LED電流を流さない状態において出力端子間に規定の電源電圧を印加した時、出力側に流れる電流。
	出力損失	P_out	出力端子間で許容し得る電力損失。
	開放出力電圧	V_oc	MOSFETを駆動させるために必要な電圧値。
	短絡電流	I_sc	入力側をONにした際にドライバから出力する電流。
電気的性能	動作時間	T_on	入力端子に規定のLED電流を流してから、出力がONするまでの遅れ時間。
	復帰時間	T_off	入力端子に流している規定のLED電流を遮断してから、出力がOFFするまでの遅れ時間。
	入出力端子間容量	C_iso	入出力端子間静電容量。
	出力端子間容量	C_out	LED電流を流さない状態においての出力端子間の静電容量。
	入出力間絶縁抵抗	R_iso	入出力端子間に指定の電圧を印加した時の端子間（入出力間）の抵抗。
	全許容損失	P_t	入出力間の全回路において許容し得る電力損失。
	耐電圧	V_iso	入出力間絶縁抵抗測定箇所と同じ箇所に高電圧を1分間印加した時、絶縁破壊の起こらない限界値。
	使用周囲温度	T_opr	規定の許容負荷電流条件のもとでPhotoMOSリレーが正常に動作し得る使用可能な周囲温度範囲。
	保存温度	T_stg	PhotoMOSリレーに電圧を印加せず放置保存し得る周囲温度範囲。
	最大開閉頻度	-	入力端子に規定のパルス入力を加えて動作復帰を連続した時に、PhotoMOSリレーが正常に動作し得る最大の開閉頻度。

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2. 信頼性試験項目

分類	項目	条件	目的
寿命試験	高温保存試験	T_stg(Max.)	長時間高温保存に対する耐性の判定。
	低温保存試験	T_stg(Min.)	長時間低温保存に対する耐性の判定。
	高温・高湿保存試験	85°C、85% RH	長時間、高温高湿中で保存されたときの耐性の判定。
	連続動作寿命試験	V_L=Max.、I_L=Max. I_F=推奨入力LED電流	電気的ストレス(電圧、電流)を与えることによる耐性を判定する。
熱的環境試験	温度サイクル試験	低温保存温度(T_stg Min.) 高温保存温度(T_stg Max.)	低温および高温の状態にさらした場合の耐性を判定する。
	熱衝撃試験	低温温度(0°C)、高温温度(100°C)	急激な温度の変化にさらした場合の耐性を判定する。
	はんだ耐熱性	260±5°C、10秒	はんだ付け時に受ける熱的ストレスに対する耐性を判定する。
機械的環境試験	振動試験	196m/s²{20G}、 100～2,000Hz	輸送中または使用中に受ける振動に対する耐性を判定する。
	衝撃試験	9,800m/s²{1,000G}0.5ms、 4,900m/s²{500G}1ms	機械的、構造的耐性を判定する。
	端子強度試験	端子形状、断面積より決定	端子部の強度が取り付け配線または使用中に加えられる外力に対する耐性を判定する。
	はんだ付け性	245°C、3秒（フラックス有）	端子部のはんだ付け性を評価する。

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	タイトル	言語	ファイルサイズ	更新日
PhotoMOSリレー用語説明	JP	142.3KB	2022年4月1日
Terminology PhotoMOS	EN	49.9KB	2022年4月1日
术语说明 PhotoMOS	CN-Simplified	309.2KB	2013年10月10日