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CMOSタイプ マイクロレーザ測距センサ HG-C

仕様

種類 測定中心200mmタイプ 測定中心400mmタイプ


NPN
出力
HG-C1200 HG-C1400
PNP
出力
HG-C1200-P HG-C1400-P
適合規制および認証 EMC指令、RoHS指令、FDA規則、UL/c-UL認証(注6)
測定中心距離 200mm 400mm
測定範囲 ±80mm ±200mm
繰り返し精度 200μm 300μm(測定距離200~400mm)
800μm(測定距離400~600mm)
直線性 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.(測定距離200~400mm)
±0.3%F.S.(測定距離400~600mm)
温度特性 0.03% F.S./℃
光源 赤色半導体レーザ クラス2[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
最大出力:1mW、発光ピーク波長:655nm
ビーム径
(注3)
約ø300μm 約ø500μm
電源電圧 12~24V DC±10% リップルP-P10%
消費電流(注4) 40mA以下(電源電圧24V DC時)、65mA以下(電源電圧12V DC時)
制御出力 <NPN出力タイプ>
NPNトランジスタ・オープンコレクタ
・ 最大流入電流:50mA
・ 印加電圧:30V DC以下(制御出力-0V間)
・ 残留電圧:1.5V以下(流入電流50mAにて)
・ 漏れ電流:0.1mA以下

<PNP出力タイプ>
PNPトランジスタ・オープンコレクタ
・ 最大流出電流:50mA
・ 印加電圧:30V DC以下(制御出力-+V間)
・ 残留電圧:1.5V以下(流出電流50mAにて)
・ 漏れ電流:0.1mA以下
  出力動作 入光時ON/非入光時ON 切り換え可能
短絡保護 装備(自動復帰型)
アナログ出力 アナログ電圧出力 ・出力範囲:0~5V(アラーム時:+5.2V)
・出力インピーダンス:100Ω
アナログ電流出力(注5) ・出力範囲:4~20mA(アラーム時:0mA)
・出力インピーダンス:300Ω
応答時間 1.5ms/5ms/10ms 切り換え可能
外部入力 〈NPN出力タイプ〉
NPN無接点入力
・入力条件
無効:+8~+V DCまたは開放
有効:0~+1.2V DC
・入力インピーダンス:約10kΩ

<PNP出力タイプ>
PNP無接点入力
・入力条件
無効:0~+0.6V DCまたは開放
有効:+4~+V DC
・ 入力インピーダンス:約10kΩ
汚損度 2
使用標高 2,000m以下



保護構造 IP67(IEC)
使用周囲
温度
-10~+45℃(但し、結露および氷結しないこと)、保存時:-20~+60℃
使用周囲
湿度
35~85%RH、保存時:35~85%RH
使用周囲
照度
白熱ランプ:受光面照度3,000ℓx以下
耐振動 耐久10~55Hz(周期1分)  複振幅1.5mm  XYZ各方向2時間
耐衝撃 耐久500m/s2(約50G)  XYZ各方向3回
ケーブル 0.2mm2 5芯複合ケーブル2m付
ケーブル延長 0.3mm2以上のケーブルにて全長10mまで延長可能
材質 本体ケース:アルミダイカスト、前面カバー:アクリル
質量 本体質量:約35g(ケーブル含まず)、約85g(ケーブル含む)

(注1): 指定なき測定条件は、電源電圧:24V DC、周囲温度:+20℃、応答時間:10ms、測定中心距離のアナログ出力値とします。対象物体は、白セラミックとします。
(注2): FDA規則のLaser Notice No.50(2007.6.24)の規定に従い、FDA規則(21 CFR 1040.10および1040.11)に準拠しています。
(注3): 測定中心距離における大きさです。中心光強度の1/e2( 約13.5%)で定義されています。
定義域外にも漏れ光があり、検出ポイントの範囲が検出ポイントに比べて反射率が高い場合は、その影響を受ける場合があります。
(注4): 2016年6月生産分より仕様を変更しました。
2016年5月以前生産分 : 40mA以下(電源電圧24V DC時)、60mA以下(電源電圧12V DC時)
(注5): 2016年6月生産分よりアナログ電流出力を追加しました。
(注6): UL/c-UL認証は、2017年4月出荷分より適合。

種類 測定中心30mmタイプ 測定中心50mmタイプ 測定中心100mmタイプ


NPN
出力
HG-C1030 HG-C1050 HG-C1100
PNP
出力
HG-C1030-P HG-C1050-P HG-C1100-P
適合規制および認証 EMC指令、RoHS指令、FDA規則、UL/c-UL認証(注6)
測定中心距離 30mm 50mm 100mm
測定範囲 ±5mm ±15mm ±35mm
繰り返し精度 10μm 30μm 70μm
直線性 ±0.1% F.S.
温度特性 0.03% F.S./℃
光源 赤色半導体レーザ クラス2[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
最大出力:1mW、発光ピーク波長:655nm
ビーム径
(注3)
約ø50μm 約ø70μm 約ø120μm
電源電圧 12~24V DC±10% リップルP-P10%
消費電流(注4) 40mA以下(電源電圧24V DC時)、65mA以下(電源電圧12V DC時)
制御出力   〈NPN出力タイプ〉
NPNトランジスタ・オープンコレクタ
・ 最大流入電流:50mA
・ 印加電圧:30V DC以下(制御出力-0V間)
・ 残留電圧:1.5V以下(流入電流50mAにて)
・ 漏れ電流:0.1mA以下

〈PNP出力タイプ〉
PNPトランジスタ・オープンコレクタ
・ 最大流出電流:50mA
・ 印加電圧:30V DC以下(制御出力-+V間)
・ 残留電圧:1.5V以下(流出電流50mAにて)
・ 漏れ電流:0.1mA以下
出力動作 入光時ON/非入光時ON 切り換え可能
短絡保護 装備(自動復帰型)
アナログ出力 アナログ電圧出力 ・出力範囲:0~5V(アラーム時:+5.2V)
・出力インピーダンス:100Ω
アナログ電流出力(注5) ・出力範囲:4~20mA(アラーム時:0mA)
・出力インピーダンス:300Ω
応答時間 1.5ms/5ms/10ms 切り換え可能
外部入力 〈NPN出力タイプ〉
NPN無接点入力
・入力条件
無効:+8~+V DCまたは開放
有効:0~+1.2V DC
・入力インピーダンス:約10kΩ

<PNP出力タイプ>
PNP無接点入力
・入力条件
無効:0~+0.6V DCまたは開放
有効:+4~+V DC
・ 入力インピーダンス:約10kΩ
汚損度 2
使用標高 2,000m以下
耐環境性 保護構造 IP67(IEC)
使用周囲
温度
-10~+45℃(但し、結露および氷結しないこと)、保存時:-20~+60°C
使用周囲
湿度
35~85%RH、保存時:35~85%RH
使用周囲
照度
白熱ランプ:受光面照度3,000ℓx以下
耐振動 耐久10~55Hz(周期1分)  複振幅1.5mm  XYZ各方向2時間
耐衝撃 耐久500m/s2(約50G)  XYZ各方向3回
ケーブル 0.2mm2 5芯複合ケーブル2m付
ケーブル延長 0.3mm2以上のケーブルにて全長10mまで延長可能
材質 本体ケース:アルミダイカスト、前面カバー:アクリル
質量 本体質量:約35g(ケーブル含まず)、約85g(ケーブル含む)

(注1): 指定なき測定条件は、電源電圧:24V DC、周囲温度:+20℃、応答時間:10ms、測定中心距離のアナログ出力値とします。対象物体は、白セラミックとします。
(注2): FDA規則のLaser Notice No.50(2007.6.24)の規定に従い、FDA規則(21 CFR 1040.10および1040.11)に準拠しています。
(注3): 測定中心距離における大きさです。中心光強度の1/e2( 約13.5%)で定義されています。
定義域外にも漏れ光があり、検出ポイントの範囲が検出ポイントに比べて反射率が高い場合は、その影響を受ける場合があります。
(注4): 2016年6月生産分より仕様を変更しました。
2016年5月以前生産分 : 40mA以下(電源電圧24V DC時)、60mA以下(電源電圧12V DC時)
(注5): 2016年6月生産分よりアナログ電流出力を追加しました。
(注6): UL/c-UL認証は、2017年4月出荷分より適合。

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