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AQW414EH | PhotoMOSリレー GE 2b
|
※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。
EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令2015/863/EUの4物質の非含有規定に適合しております。
| 品番 | AQW414EH |
| 型番 | AQW414EH |
| 詳細 | 標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:400 V |
| 商品名 | PhotoMOSリレー GE 2b |
| 商品特長 | 高耐電圧5,000Vを実現 2bタイプ |
2024年04月19日現在
商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
スペック詳細
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 品番 | AQW414EH |
| 型番 | AQW414EH |
| 商品名 | GE 2b |
| タイプ | GE |
| パッケージ | DIP8 |
| 電圧タイプ | AC/DC |
| 出力構成 | 2b |
| 端子形状 | 標準P/C板端子 |
| 包装形態 | スティック包装 |
| 箱入数 1スティック (個) |
50 |
| 箱入数 外箱 (個) |
500 |
| LED電流 [ IF ] | 50mA |
| LED逆電圧 [ VR ] | 5V |
| せん頭順電流 [ IFP ] | 1A |
| 許容損失 [ Pin ] | 75mW |
| 負荷電圧 [ VL ] | 400V |
| 連続負荷電流 [ IL ] | 0.1A |
| ピーク負荷電流 [ Ipeak ] | 0.3A |
| 出力損失 [ Pout ] | 800mW |
| 全許容損失 [ Pt ] | 850mW |
| 耐電圧 [ Viso ] | 5,000Vrms |
| 使用周囲温度：動作温度 [ Topr ] | -40～+85°C |
| 使用周囲温度：保存温度 [ Tstg ] | -40～+100°C |
| 接合部温度 [ Tj ] | 125°C |
| 動作LED電流（平均） | 1.3mA |
| 動作LED電流（最大） | 3mA |
| 復帰LED電流（最小） | 0.4mA |
| 復帰LED電流（平均） | 1.2mA |
| LED電圧降下（平均） [ VF ] | 1.25V |
| LED電圧降下（最大） [ VF ] | 1.5V |
| オン抵抗（平均） [ Ron ] | 26 ohm |
| オン抵抗（最大） [ Ron ] | 35 ohm |
| 開路時漏れ電流（最大） [ ILeak ] | 10μA |
| 過電流保護機能 | 機能なし |
| 動作時間（平均） | 0.8ms |
| 動作時間（最大） | 3ms |
| 復帰時間（平均） | 0.2ms |
| 復帰時間（最大） | 1ms |
| 入出力端子間容量（平均） [ Ciso ] | 0.8pF |
| 入出力端子間容量（最大） [ Ciso ] | 1.5pF |
| 入出力間絶縁抵抗（最小） [ Riso ] | 1,000 M ohm |
| [推奨動作条件] LED電流 [ IF ] | 最小：5mA 最大：30mA |
| [推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ] | 最大：320V |
| [推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ] | 最大：0.13A (1ch), 0.1A (2ch) |
規格適合情報
| 製品捺印 ※ | 製品捺印はありません |
※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。
ご注文・ご使用に際してのお願い（制御部品・電子デバイス）［特定商品を除く］
ご注文・ご使用に際してのお願い（制御部品・電子デバイス）［特定商品］
ご注文・ご使用に際してのお願い（FAセンサ・システム［モータ以外］）
ご注文・ご使用に際してのお願い（産業用モータ専用）
