CMOS型微型雷射位移感測器HG-C 規格

種類		測量中心距離200mm型	測量中心距離400mm型
型號	NPN 輸出	HG-C1200	HG-C1400
型號	PNP 輸出	HG-C1200-P	HG-C1400-P
符合規則及認證		CE標誌(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標誌(EMC規範、RoHS規範)、FDA規則、UL/c-UL認證（註6）
測量中心距離		200mm	400mm
測量範圍		±80mm	±200mm
重複精度		200μm	300μm(測量距離200～400mm) 800μm(測量距離400～600mm)
直線性		±0.2%F.S.	±0.2%F.S.(測量距離200～400mm) ±0.3%F.S.(測量距離400～600mm)
溫度特性		0.03% F.S./℃
光源		紅色半導體雷射 2級[JIS/IEC/GB/FDA(註2)] 最大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
光束直徑 (註3)		約ø300μm	約ø500μm
電源電壓		12～24V DC±10%　脈動P-P10%以下
消耗電流(註4)		40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出		<NPN輸出型> NPN開路集電極晶體管・最大流入電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下(控制輸出-0V之間) ・剩餘電壓：1.5V以下(流入電流50mA時) ・漏電流：0.1mA以下 <PNP輸出型> PNP開路集電極晶體管・最大流入電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下(控制輸出-+V之間) ・剩餘電壓：1.5V以下(流出電流50mA時) ・漏電流：0.1mA以下
	輸出動作	入光時ON/非入光時ON　可切換
	短路保護	配備(自動恢復)
模擬輸出	類比電壓輸出	・輸出範圍：0～5V(報警時：+5.2V) ・輸出阻抗：100Ω
模擬輸出	模擬電流輸出(註5)	・輸出範圍：4～20mA(報警時：0mA) ・輸出阻抗：300Ω
反應時間		1.5ms／5ms／10ms　可切換
外部輸入		〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入・輸入條件無效：+8～+V DC或開路有效：0～+1.2V DC ・輸入阻抗：約10kΩ <PNP輸出型> PNP無接點輸入・輸入條件無效：0～+0.6V DC或開路有效：+4～+V DC ・輸入阻抗：約10kΩ
汙損度		2
使用標高		2,000m以下
耐環境性	保護構造	IP67(IEC)
	使用環境溫度	-10～+45℃(注意不可結露、結冰)、保存時：-20～+60℃
	使用環境濕度	35%RH～85%RH、保存時：35%RH～85%RH
	使用環境照度	白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
	耐振動	耐久10～55Hz(週期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時
	耐衝擊	耐久500m/s²(約50G) XYZ各方向3次
電線		0.2mm² 5芯複合電線，長2m
延長電線		0.3mm²以上電線　最多延長至全長10m
材質		本體外殼：壓鑄鋁　前罩：丙烯基
重量		本體重量：約35g(不含電線)，約85g(含電線)

(註1): 未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 回應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。

(註2): 根據FDA規則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規定，以FDA規則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準。

(註3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。

(註4): 從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

(註5): 從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。

(註6): 自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。

(註1):	未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 回應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。
(註2):	根據FDA規則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規定，以FDA規則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準。
(註3):	測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
(註4):	從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。 2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(註5):	從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(註6):	自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。

種類		測量中心距離30mm型	測量中心距離50mm型	測量中心距離100mm型
型號	NPN 輸出	HG-C1030	HG-C1050	HG-C1100
型號	PNP 輸出	HG-C1030-P	HG-C1050-P	HG-C1100-P
符合規則及認證		CE標誌(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標誌(EMC規範、RoHS規範)、FDA規則、UL/c-UL認證（註6）
測量中心距離		30mm	50mm	100mm
測量範圍		±5mm	±15mm	±35mm
重複精度		10μm	30μm	70μm
直線性		±0.1% F.S.
溫度特性		0.03% F.S./℃
光源		紅色半導體雷射　2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(註2) 最大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
光束直徑（註3）		約ø50μm	約ø70μm	約ø120μm
電源電壓		12～24V DC±10%　脈動P-P10%以下
消耗電流（註4）		40mA以下（電源電壓24V DC時）65mA以下（電源電壓12V DC時）
控制輸出		〈NPN輸出型〉 NPN開路集電極晶體管・最大流入電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下（控制輸出-0V之間）・剩餘電壓：1.5V以下（流入電流50mA時）・漏電流：0.1mA以下〈PNP輸出型〉 PNP開路集電極晶體管・最大源電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下（控制輸出-＋V之間）・剩餘電壓：1.5V以下（流出電流50mA時）・漏電流：0.1mA以下
	輸出動作	入光時ON/非入光時ON　可切換
	短路保護	配備(自動恢復)
模擬輸出	類比電壓輸出	・輸出範圍：0～5V(報警時：+5.2V) ・輸出阻抗：100Ω
模擬輸出	模擬電流輸出(註5)	・輸出範圍：4～20mA(報警時：0mA) ・輸出阻抗：300Ω
反應時間		1.5ms／5ms／10ms 可切換
外部輸入		〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入・輸入條件無效：＋8～＋V DC或開路有效：0～＋1.2V DC ・輸入阻抗：約10kΩ <PNP輸出型> PNP無接點輸入・輸入條件無效：0～＋0.6V DC或開路有效：＋4～＋V DC ・輸入阻抗：約10kΩ
汙損度		2
使用標高		2,000m以下
耐環境性	保護構造	IP67(IEC)
	使用環境溫度	－10～＋45℃（注意不可結露、結冰）、保存時20～＋60℃
	使用環境濕度	35%RH～85%RH，保存時：35%RH～85%RH
	使用環境照度	白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
電線		0.2mm² 5芯複合電線，長2m
材質		本體外殼：壓鑄鋁　前罩：丙烯基
重量		本體重量：約35g(不含電線)，約85g(含電線)

(註1): 未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 回應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。

(註2): 根據FDA規則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規定，以FDA規則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準。

(註3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。

(註4): 從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

(註5): 從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。

(註6): 自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。

(註1):	未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 回應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。
(註2):	根據FDA規則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規定，以FDA規則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準。
(註3):	測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
(註4):	從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。 2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(註5):	從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(註6):	自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。

種類		測量中心距離50mm型
型號	NPN 輸出	HG-C1050L
型號	PNP 輸出	HG-C1050L-P
符合規則及認證		EMC適合指令、UL/c-UL認證（註4）
測量中心距離		50mm
測量範圍		±4mm
重複精度		20μm
直線性		±0.3% F.S.
溫度特性		0.03% F.S./℃
光源		紅色半導體雷射　1級(JIS/IEC/GB) 最大輸出：0.2mW、發光光束波長：655nm
光束直徑（註2）		約ø150μm
受光元件		CMOS圖形感測器
電源電壓		12V～24V DC±10%　脈動P-P10%
消耗電流		40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出		〈NPN輸出型〉 NPN開路集電極晶體管・最大流入電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）・剩餘電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）・漏電流：0.1mA以下〈PNP輸出型〉 PNP開路集電極晶體管・最大源電流：50mA ・外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）・剩餘電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）・漏電流：0.1mA以下
	輸出動作	入光時ON/非入光時ON　可切換
	短路保護	配備(自動恢復)
模擬輸出	電壓	・輸出範圍：0V~5V(報警時：+5.2V) ・輸出阻抗：100Ω
模擬輸出	電流	・輸出範圍：4mA~20mA(報警時：0mA) ・負載阻抗：300Ω最大
反應時間		1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入		〈NPN輸出型〉 NPN無接點輸入・輸入條件無效：＋8V～＋V DC或者開放有效：0V～＋1.2V DC ・輸入阻抗：約10kΩ <PNP輸出型> PNP無接點輸入・輸入條件無效：0V～＋0.6V DC或者開放有效：＋4～＋V DC ・輸入阻抗：約10kΩ
保護構造		IP67(IEC)
污染度		2
使用環境溫度		－10℃～＋45℃（注意不可結露、結冰）、保存時：－20℃～＋60℃
使用環境濕度		35%RH～85%RH、存儲時：35%RH～85%RH
使用環境照度		白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
使用標高		2,000m以下
電線		0.2mm² 5芯複合電線長2m
材質		本體外殼：鋁鑄件前面蓋板：丙烯基
重量		約35g(不含電線)、約85g(含電線)
適用規格		符合EMC指令

(註1): 未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環境溫度：+20℃、反應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。

(註2): 該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，檢測結果可能會受到影響。

(註3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。

(註4): HL-C1050L(-P)自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。

(註1):	未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環境溫度：+20℃、反應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。物件物體：白色陶瓷。
(註2):	該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，檢測結果可能會受到影響。
(註3):	測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e²(約13.5%)定義。如果定義區域外有漏光，並且檢測點範圍有高於檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
(註4):	HL-C1050L(-P)自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。