什么是PhotoMOS？
PhotoMOS是指在输入元件中采用LED，在输出元件中采用MOSFET的光电耦合器的半导体继电器。
由于提高了机器的可靠性，并实现了小型化， 因此应用于各个领域。
基本结构
<光绝缘方式>
<容量绝缘方式>
【 术语说明】
| 环 | ・・・・・ | 指环氧树脂。 |
| LED | ・・・・・ | LED(Light Emitting Diode)放射出光线的二极管。 |
| MOSFET | ・・・・・ | MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的简称。 将金属(电导体)、氧化膜(绝缘体)、半导体(带有中间性质的物质)巧妙结合后的晶体管。 |
| 光电元件 | ・・・・・ | 指太阳电池＋控制电路。 |
PhotoMOS优点
hotoMOS与传统的机械型继电器最大的区别在于：PhotoMOS是一款“光电耦合器”，触点不进行机械性的开闭。为此，在触点可靠性、寿命、动作声音、动作速度、以及尺寸大小方面具有卓越的特性。
另外，即使是相同的光电耦合器，由于所采用的输出元件不同，也分为很多种类。其特点和用途有所差异，但是由于PhotoMOS在输出元件中采用了功率型MOSFET，因此与光闸流管和光电晶体管方式相比，这款转换设备适于对微小的模拟信号进行控制。
| 与触点进行机械性开闭的 机械继电器相比 |
与可控硅输出的 SSD(可控硅光电耦合器)相比 |
|---|---|
|
●长寿命(没有机械性、电气性寿命) ●可实现高速・高频率的开闭 ●感高灵敏度(低消耗功率) ●尺寸小巧 ●电弧・弹跳・干扰等触点故障少 ●耐震动・冲击 ●安装方向上没有限制 |
●可对微小的模拟信号进行控制 ●AC/DC兼用 ●灵敏度良好 ●漏电流小 ●偏置电压小 ●除1a外，还备有2a、4a、1b、2b、1a1b等丰富的触点构成 |
阵容
松下竭诚为您提供丰富、适用于多种用途的PhotoMOS。
PhotoMOS根据特点和推荐用途分为8种类型。
| 名称 | 特点 | 推荐用途 |
|---|---|---|
| CC Capacitor Coupled |
低导通电阻＆低输出端子间容量 |
测量仪器、探针卡、 通信设备、医疗设备、 各类电池驱动设备 |
| RF Radio Frequency |
低导通电阻＆低输出端子间容量 | 测量仪器、通信设备、医疗设备 |
| GU General Use |
品种丰富 |
通用、娱乐、 安防设备 娱乐设备 |
| GE General Use and Economic |
经济性、强化绝缘 | |
| HS High Sensitivity |
高灵敏度 | |
| HF High Functioned |
低导通电阻 | OA设备、搬运机械 通信设备 |
| HE High Functioned and Economic |
低导通电阻、经济性 | |
| 功率 Power |
功率、窄长形状 | 机床、机器人、 工业机器・设备 |
| PD Power DIP |
功率、扁平形状 |
2015年6月现在封装方式
PhotoMOS在本司商品阵容中，从最小实装面积的VSSOP到最大10A为止的可控制SIL，封装种类丰富俱全。尤其是4a输出的SOP 16脚型和输入阻抗内置型等这些省空间、省工序的松下独有型号，其封装方案也是非常齐全的。
PhotoMOS封装方式
| 根据封装形状分类 | 根据安装方法分类 | |
|---|---|---|
| TSON (Thin Small Outline No lead Package) |
 |
SMD (Surface Mounted Device) |
| VSSOP (Very Shrink Small Outline Package) |
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| SON (Small Outline No lead Package) |
 |
|
| SSOP (Shrink Small Outline Package) |
 |
|
| SOP (Small Outline Package) |
 |
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| DIP (Dual Inline Package) |
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SMD （Surface Mounted Device) TH (Through Hole Device) |
| Power-DIP （Power Dual Inline Package) |
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|
| SIL (Single Inline Package) |
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TH (Through Hole Device) |
SSOP、SOP 4脚型、SOP 16脚型中标准配备内置输入电阻的电压驱动型产品。
关于其他形式的产品，敬请垂询，可在商谈的基础上满足您的需求。
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