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AQV224N | PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin)


PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin)

※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。



品番 AQV224N
型番 AQV224N
詳細 標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:400 V
商品名 PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin)
商品特長 低オン抵抗 負荷電圧200V/400V

2024年05月21日現在
商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

項目 内容
品番 AQV224N
型番 AQV224N
商品名 RF 1a 低オン抵抗
タイプ RF
パッケージ DIP6
電圧タイプ AC/DC
出力構成 1a
端子形状 標準P/C板端子
包装形態 スティック包装
箱入数
1スティック (個)
50
箱入数
外箱 (個)
500
LED電流 [ IF ] 50mA
LED逆電圧 [ VR ] 5V
せん頭順電流 [ IFP ] 1A
許容損失 [ Pin ] 75mW
負荷電圧 [ VL ] 400V
連続負荷電流 [ IL ] 0.05A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ] 0.15A
出力損失 [ Pout ] 360mW
全許容損失 [ Pt ] 410mW
耐電圧 [ Viso ] 1,500Vrms
使用周囲温度:動作温度 [ Topr ] -40~+85°C
使用周囲温度:保存温度 [ Tstg ] -40~+100°C
接合部温度 [ Tj ] 125°C
動作LED電流(平均) 0.9mA
動作LED電流(最大) 3.0mA
復帰LED電流(最小) 0.4mA
復帰LED電流(平均) 0.85mA
LED電圧降下(平均) [ VF ] 1.25V
LED電圧降下(最大) [ VF ] 1.5V
オン抵抗(平均) [ Ron ] 70 ohm
オン抵抗(最大) [ Ron ] 100 ohm
出力端子間容量(平均) [ Cout ] 10pF
出力端子間容量(最大) [ Cout ] 15pF
開路時漏れ電流(平均) [ ILeak ] 0.09nA
開路時漏れ電流(最大) [ ILeak ] 10nA
過電流保護機能 機能なし
動作時間(平均) 0.2ms
動作時間(最大) 0.5ms
復帰時間(平均) 0.08ms
復帰時間(最大) 0.2ms
入出力端子間容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
入出力端子間容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
入出力間絶縁抵抗(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ] 最大:320V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ] 最大:0.05A

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規格適合情報

規格名 取得状況 適合情報 認定書(写)をまとめて請求する
UL

取得

認定書(写)を請求する
ファイルNo. E191218
定格 UL Recognized
3500mA connect A
5000mA connect B
7000mA connect C
備考 Device rating
0.05A 400V AC(peak)A connection
0.05A 400V DC A connection
0.06A 400V DC B connection
0.08A 400V DC C connection
更新日 2022年3月3日
製品捺印 ※ 製品捺印はありません

※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。


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