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AQZ192 | PhotoMOSリレー パワー 1a DC 高容量


PhotoMOSリレー パワー 1a DC 高容量

※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。

  • RoHS対応 EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令2015/863/EUの4物質の非含有規定に適合しております。  


品番 AQZ192
型番 AQZ192
詳細 標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:60 V
商品名 PhotoMOSリレー パワー 1a DC 高容量
商品特長 シリーズMax. 10A制御可能なスリムSIL形状DC半導体リレー

2024年07月23日現在
商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

項目 内容
品番 AQZ192
型番 AQZ192
商品名 パワー 1a DC 高容量
タイプ パワー
パッケージ SIL4
電圧タイプ DC
出力構成 1a
端子形状 標準P/C板端子
包装形態 スティック包装
箱入数
1スティック (個)
20
箱入数
外箱 (個)
500
LED電流 [ IF ] 50mA
LED逆電圧 [ VR ] 5V
せん頭順電流 [ IFP ] 1A
許容損失 [ Pin ] 75mW
負荷電圧 [ VL ] 60V
連続負荷電流 [ IL ] 10A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ] 30A
出力損失 [ Pout ] 2.0W
全許容損失 [ Pt ] 2.0W
耐電圧 [ Viso ] 3,000Vrms
使用周囲温度:動作温度 [ Topr ] -40~+85℃
使用周囲温度:保存温度 [ Tstg ] -40~+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
動作LED電流(平均) 0.7mA
動作LED電流(最大) 3.0mA
復帰LED電流(最小) 0.2mA
復帰LED電流(平均) 0.5mA
LED電圧降下(平均) [ VF ] 1.35V
LED電圧降下(最大) [ VF ] 1.5V
オン抵抗(平均) [ Ron ] 0.008 Ω
オン抵抗(最大) [ Ron ] 0.015 Ω
開路時漏れ電流(最大) [ ILeak ] 10μA
過電流保護機能 機能なし
動作時間(平均) 1.0ms
動作時間(最大) 3.0ms
復帰時間(平均) 0.11ms
復帰時間(最大) 1.0ms
入出力端子間容量(平均) [ Ciso ] 1.3pF
入出力端子間容量(最大) [ Ciso ] 3.0pF
入出力間絶縁抵抗(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
最大開閉頻度 0.5回/s
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ] 最小:10mA 最大:30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ] 最大:48V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ] 最大:10A

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規格適合情報

規格名 取得状況 適合情報 認定書(写)をまとめて請求する
UL

取得

認定書(写)を請求する
ファイルNo. E191218
定格 UL Recognized
10000mA
備考 Device rating
10A 60V DC
更新日 2022年3月3日
VDE

取得

認定書(写)を請求する
ファイルNo. Nr.40051981
定格 -
備考 -
更新日 2021年10月12日
製品捺印 ※ UL Recognaized

※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。


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