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小型雷射位移感測器 HL-G1

規格

感測器

擴散反射型

型號 標準型 HL-G103-A-C5 HL-G105-A-C5 HL-G108-A-C5 HL-G112-A-C5 HL-G125-A-C5
多功能型 HL-G103-S-J HL-G105-S-J HL-G108-S-J HL-G112-S-J HL-G125-S-J
適用標準 CE標誌(EMC指令、RoHS指令)、 UKCA標誌(EMC規範、RoHS規範)
測量中心距離 30mm 50mm 85mm 120mm 250mm
測量範圍 ±4mm ±10mm ±20mm ±60mm ±150mm
解析度 0.5μm 1.5μm 2.5μm 8μm 20μm
直線性 ±0.1% F.S. ±0.3% F.S.
溫度特性 ±0.08% F.S./℃
光源   紅色半導體雷射 2級[JIS / IEC / GB / KS / FDA(註2)]
(投光峰波長度:655nm)
輸出 最大輸出:1mW
雷射
等級
2級(JIS/IEC/FDA Laser Notice No.50)(注2)
光束直徑(註3) 0.1×0.1mm 0.5×1mm 0.75×1.25mm 1.0×1.5mm 1.75×3.5mm
受光元件 CMOS圖像感測器
電源電壓 24V DC±10% 包括脈動0.5V(P-P)
消耗電流 100mA以下
取樣週期 200μs、500μs、1ms、2ms
模擬輸出 電壓 輸出範圍:0~10.5V(正常時)、11V(報警時)
輸出阻抗:100Ω
電流 輸出範圍:3.2~20.8mA(正常時)、21.6mA(報警時)
負載阻抗:300Ω以下
輸出

(OUT1
OUT2
OUT3)
  判斷輸出或者報警輸出(設定切換式)
NPN開路集電極·電晶體/PNP開路集電極·電晶體(切換式)

<選擇NPN輸出時>
 ・最大流入電流:50mA
 ・外加電壓:3V~24V DC(輸出-0V之間)
 ・剩餘電壓:2V以下(流入電流50mA下)
 ・漏電流:0.1mA以下

<選擇PNP輸出時>
 ・最大源電流:50mA
 ・剩餘電壓:2.8V以下(源電流50mA下)
 ・漏電流:0.1mA以下
輸出動作 ON時(輸出動作時)開路
短路保護 配備(自動復位式)
NP切換輸入 連接0V時:NPN輸出動作
連接電源用24V DC時:PNP輸出動作
同步輸入 選擇NPN輸出時:連接0V時動作,或連接過程中動作(隨設定而異)
選擇PNP輸出時:連接外部電源+極時動作,或連接過程中動作(隨設定而異)
多路輸入 根據輸入時間有零設、零設OFF、復位、教導、雷射控制
選擇NPN輸出時:0根據連接至0V的時間而定
選擇PNP輸出時:根據連接至外部電源+極的時間而定
通信介面
(僅限高功能型)
RS-422或RS-485(切換式)
串列傳輸速率:9,600/19,200/38,400/115,200/230,400/460,800/921,600 bps
資料長度8bit、停止位長度1bit、無同位、有BCC、數據區分:CR
指示燈 雷射投光
指示燈
綠色LED
(雷射投光時亮起)
報警
指示燈
橙色LED
因光量不足不能進行測量時亮起
輸出
指示燈
黃色LED×3
輸出動作時亮起
數字顯示屏 赤色LED 5 1/2桁表示
使用標高/汙損度 2,000m以下 / 2
耐環境性 保護構造 IP67(IEC)(連接器部除外)
使用環境溫度 -10~45℃(注意不可結冰)
保存時:-20℃~60℃
使用環境
濕度
35%~85%RH
保存時:35%~85%RH
使用環境照明度 白熾燈:受光面照度3,000lx以下 (註4)
絕緣電阻 20MΩ以上 DC250V高阻表測量值 所有端子與外殼之間
耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有端子與外殼之間
耐振動 耐久10~55Hz(週期1分) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時
耐衝擊 500m/s2(約50G) X、Y和Z方向各3次
電線長度 標準型:0.1mm2 帶10芯橡膠絕緣電線5m
高功能型:帶14芯連接器橡膠絕緣電線0.5m
電線延長 使用選配件(另售)的延長電線最多可延長至全長20m(標準型不能延長)
材質 本體外殼:PBT、前罩:丙烯、電線:PVC
重量 本體重量:標準型 約70g(不含電線)/約320g(含電線)、包裝重量:約380g
本體重量:多功能型 約70g(不含電線)/約110g(含電線)、包裝重量:約160g
附件 雷射警告標籤:1套

(註1):未指定時的檢測條件如下:電源電壓:24V DC、周圍溫度:20℃、取樣週期500μs、平均次數:1024次、檢測中心距離、物件物體:白色陶瓷、模擬輸出。
(註2):根據FDA規則的Laser Notice No.50(2007.6.24)規定、FDA規則以(21 CFR 1040.10及1040.11)為基準。
(註3):該值為檢測中心距離上的值。以中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有光洩漏,並且檢測點周圍有高於檢測點本身的強反射,檢測結果可能會受到影響。
(註4):周圍環境照明度所引起的變動在±0.1%F.S.以下。

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正反射型

型號 標準型 HL-G103A-RA-C5 HL-G105A-RA-C5 HL-G108A-RA-C5
多功能型 HL-G103A-RS-J HL-G105A-RS-J HL-G108A-RS-J
適用標準 CE標誌(EMC指令、RoHS指令)、 UKCA標誌(EMC規範、RoHS規範)
測量中心距離 26.3mm 47.3mm 82.9mm
測量範圍 ±2mm ±5mm ±10mm
解析度 0.5μm 1.5μm 2.5μm
直線性 ±0.2% F.S.
溫度特性 ±0.08% F.S./℃
光源 紅色半導體雷射 1級[JIS / IEC / GB / KS / FDA(註2)]
輸出 最大輸出:0.39mW 投光峰波長度:655nm
雷射
等級
1級(JIS/IEC/FDA Laser Notice No.50)(註2)
光束直徑(註3) 0.1×0.1mm 0.2×0.2mm
受光元件 CMOS圖像感測器
電源電壓 24V DC±10% 包括脈動0.5V(P-P)
消耗電流 100mA以下
取樣週期 200μs、500μs、1ms、2ms
模擬輸出 電壓 輸出範圍:0~10.5V(正常時)、11V(報警時)
輸出阻抗:100Ω
電流 輸出範圍:3.2~20.8mA(正常時)、21.6mA(報警時)
負載阻抗:300Ω以下
輸出

(OUT1
OUT2
OUT3)
  判斷輸出或者報警輸出(設定切換式)
NPN開路集電極·電晶體/PNP開路集電極·電晶體(切換式)

<選擇NPN輸出時>
 ・最大流入電流:50mA
 ・外加電壓:3V~24V DC(輸出-0V間)
 ・剩餘電壓:2V以下(流入電流50mA下)
 ・漏電流:0.1mA以下

<選擇PNP輸出時>
 ・最大源電流:50mA
 ・剩餘電壓:2.8V以下(源電流50mA下)
 ・漏電流:0.1mA以下
輸出動作 ON時(輸出動作時)開路
短路保護 配備(自動復位式)
NP切換輸入 連接0V時:NPN輸出動作
連接電源用24V DC時:PNP輸出動作
同步輸入 選擇NPN輸出時:連接0V時動作,或連接過程中動作(隨設定而異)
選擇PNP輸出時:連接外部電源+極時動作,或連接過程中動作(隨設定而異)
多路輸入 根據輸入時間有零設、零設OFF、復位、教導、雷射控制
選擇NPN輸出時:根據連接至0V的時間而定
選擇PNP輸出時:根據連接至外部電源+極的時間而定
通信介面
(僅限高功能型)
RS-422或RS-485(切換式)串列傳輸速率:9,600/19,200/38,400/115,200/230,400/460,800/921,600 bps
資料長度8bit、停止位長度1bit、無同位、有BCC、數據區分:CR
指示燈 雷射投光
指示燈
綠色LED
(雷射投光時亮起)
報警
指示燈
橙色LED
因光量不足不能進行測量時亮起
輸出
指示燈
黃色LED×3
輸出動作時亮起
數字顯示屏 紅色LED 5 1/2位元顯示
使⽤標高 / 汙損度 2,000m以下 / 2
耐環境性 保護構造 IP67(IEC)(連接器部除外)
使用環境溫度 -10~45℃(註意不可結冰)
保存時:-20℃~60℃
使用環境
濕度
35%~85%RH
保存時:35%~85%RH
使用環境照明度 白熾燈:受光面照度3,000lx以下 (註4)
絕緣電阻 20MΩ以上 DC250V高阻表測量值 所有端子與外殼之間
耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有端子與外殼之間
耐振動 耐久10~55Hz(週期1分) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時
耐衝擊 500m/s2(約50G) X、Y和Z方向各3次
電線長度 標準型:0.1mm2 帶10芯橡膠絕緣電線5m
高功能型:帶14芯連接器橡膠絕緣電線0.5m
電線延長 使用選配件(另售)的延長電線最多可延長至全長20m(標準型不能延長)
材質 本體外殼:PBT、前罩:丙烯、電線:PVC
重量 本體重量:標準型 約70g(不含電線)/約320g(含電線)、包裝重量:約380g
本體重量:多功能型 約70g(不含電線)/約110g(含電線)、包裝重量:約160g
附件 雷射警告標籤:1套

(註1):未指定時的檢測條件如下:電源電壓:24V DC、周圍溫度:20℃、取樣週期500μs、平均次數:1024次、檢測中心距離、物件物體:白色陶瓷、模擬輸出。
(註2):根據FDA規則的Laser Notice No.50(2007.6.24)規定、FDA規則以(21 CFR 1040.10及1040.11)為基準。
(註3):該值為檢測中心距離上的值。以中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有光洩漏,並且檢測點周圍有高於檢測點本身的強反射,檢測結果可能會受到影響。
(註4):周圍環境照明度所引起的變動在±0.1%F.S.以下。

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