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品番 | AFPXHC30TD |
型番 | AFPXHC30TD |
商品 | FP-XH コントロールユニット |
詳細 | C30 電源 : 24V DC 24V DC入力16点、0.5A / 5~24V DCトランジスタ出力14点(NPN) |
商品名 | FP-XH |
2024年06月16日現在
商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目 | 内容 |
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品番 | AFPXHC30TD |
型番 | AFPXHC30TD |
項目 | 内容 |
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使用周囲温度 | 0~+55℃ |
保存周囲温度 | -40~+70℃ |
使用周囲湿度 | 10~95%RH(+25℃にて、結露しないこと) |
保存周囲湿度 | 10~95%RH(+25℃にて、結露しないこと) |
耐電圧 : トランジスタ出力 | DC電源 電源端子-アース端子間 : 500V AC 1分間 電源端子-サービス電源端子間 : - 入力端子一括-アース端子間 : 500V AC 1分間 出力端子一括-アース端子間 : 500V AC 1分間 (注) : カットオフ電流:5mA(出荷時初期値) |
絶縁抵抗(試験電圧500V DC) | 電源端子-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて) 電源端子-サービス電源端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて) 入力端子一括-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて) 出力端子一括-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて) |
耐振動 | 5~8.4Hz 片振幅3.5mm 8.4~150Hz 加速度9.8m/s2 X、Y、Z各方向10回掃引 (1オクターブ/min.) |
耐衝撃 | 147m/s2 X、Y、Z各方向4回 |
耐ノイズ性 | 1,000V[P-P] パルス幅50 ns、1μs(ノイズシミュレータ法による)(電源端子) |
使用雰囲気 | 腐食性ガスがないこと。塵埃がひどくないこと |
EC指令適合規格 | EMC指令:EN 61131-2 (エミッション、イミュニティ、低電圧指令) |
過電圧カテゴリ | カテゴリII |
汚染度 | 2 |
項目 | 内容 |
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プログラム方式 | リレーシンボル |
制御方式 | サイクリック演算方式 |
プログラムメモリ | フラッシュROM内蔵 |
プログラム容量 | 24k / 32k /40kステップ(切り替え可能) (注) : システムレジスタNo.0 (シーケンシャルプログラム容量)を変更した場合は、データレジスタ(DT)のサイズも変更されます。 |
基本命令 | 約110種類 |
応答命令 | 約220種類 |
演算処理速度 | [基本命令(ST)] 約0.04μs/ステップ(7kステップ未満) 約0.7μs/ステップ(7kステップ以上) [応用命令(F0MV)] 約0.22μs/ステップ(7kステップ未満) 約1.73μs/ステップ(7kステップ以上) |
演算用メモリ : リンクリレー : 外部入力(X) | 1,760点(X0~X109F) (注) : 記載されている点数は演算メモリの点数であり、実際に使用できる点数はハードウェアの組み合わせによって決まります。 |
演算用メモリ : リンクリレー : 外部出力(Y) | 1,760点(Y0~Y109F) (注) : 記載されている点数は演算メモリの点数であり、実際に使用できる点数はハードウェアの組み合わせによって決まります。 |
演算用メモリ : リンクリレー : 内部リレー(R) | デフォルト:8,192点(R0~R511F) FP-X互換仕様:4,096点 (注) : システムレジスタNo.1内部リレーの容量によって選択可能です。旧モデルのFP-Xシリーズのコントロールユニットとの互換性が必要な場合は、4,096ポイントを選択します。 |
演算用メモリ : リンクリレー : 特殊内部リレー(R) | 240点 |
演算用メモリ : リンクリレー : タイマ、カウンタ(T/C) | 1,024点(初期設定タイマ1,008点、カウンタ16点) (注) : システムレジスタNo.5の設定によりタイマ点数を変更できます。 |
演算用メモリ : リンクリレー : リンクリレー( L ) | 2,048点(L0~L127F) |
演算用メモリ : メモリエリア : データレジスタ(DT) | 64k、32k、12kワード ※選択したプログラム容量によりDTサイズが変わります。 |
演算用メモリ : メモリエリア : 特殊データレジスタ(DT) | 500ワード |
演算用メモリ : メモリエリア : リンクデータレジスタ(LD) | 256ワード(LD0~LD255) |
演算用メモリ : メモリエリア : ファイルレジスタ(FL) | 無し |
演算用メモリ : メモリエリア : インデックスレジスタ (I) | 14ワード(I0~ID) |
微分点数 | プログラム容量分 |
マスタコントロールリレー点数(MCR) | 256点 |
ラベル数( JMP+LOOP ) | 256点 |
ステップラダー数 | 1,000工程 |
サブルーチン数 | 500サブルーチン |
割り込みプログラム数 | 入力8、定時1 |
高速カウンタ : 本体入力 | 単相8ch(100kHz×4、10kHz×4)または2相4ch(50kHz×2、10kHz×2) (注1) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力の最大カウント速度、最大出力周波数は、電圧24 V DC、使用周囲温度+25℃時の仕様を示します。電圧、温度、使用する機能の組み合わせによっては、周波数が低下することがあります。 (注2) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャプチャ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。 |
高速カウンタ : パルス入・出力カセット装着時 | 装着不可 |
パルス出力/PWM出力 : 本体出力 | 4ch パルス出力:各100kHz PWM出力:4ch、1Hz~70kHz(1,000分解能)、70.001kHz~100kHz(100分解能) (注1) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力の最大カウント速度、最大出力周波数は、電圧24 V DC、使用周囲温度+25℃時の仕様を示します。電圧、温度、使用する機能の組み合わせによっては、周波数が低下することがあります。 (注2) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャプチャ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。 |
パルスキャッチ入力 割り込み入力 |
8点(本体入力8点) (注) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャプチャ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。 |
定時割り込み | 0.1ms~30s (注): 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャプチャ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。 |
ボリューム入力 | 1ch(0~4,000) |
入力時定数処理 | あり |
カレンダタイマ | あり(マスタメモリカセットAFPX-MRTCおよび電池装着時のみ使用可能) |
フラッシュROMバックアップ : F12 / P13の命令によるバックアップ | データレジスタ全エリア |
フラッシュROMバックアップ : 電源切断時の自動バックアップ | カウンタ16点、内部リレー128点、データレジスタ315ワード |
電池バックアップ | システムレジスタで保持エリアに設定しているメモリ(電池装着時のみ) |
電池寿命 | 実使用状態(1日8時間稼働)で5年以上 (注) : バッテリ寿命は、完全に電源が入っていない状態の値です。実際の使用値は、使用条件によって寿命が短い場合があります。 |
パスワード | あり(4桁、8桁または32桁から選択可能) |
自己診断機能 | ウォッチドッグタイマ、プログラムの文法チェックなど |
PLC間リンク機能 | 最大16台、リンクリレー1,024点、リンクレジスタ128ワード (データ転送、リモートプログラミングは不可) |
RUN中書き換え | 可(RUN中ダウンロード、RUN中プログラム書き換え) (最大512ステップ) |
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