企業專屬首頁 > 電子元件/工業用機器 > 制御機器首頁 > FA 感測器 & 工控元件 > 感測器 > 光電感測器‧雷射感測器 > 晶圓定位感測器 M-DW1(停產品) > 使用注意事項
本產品已停止生產。
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靈敏度切換開關 | 靈敏度 | |
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最高靈敏度 (MAX) |
用於經過氮化膜或氧化膜處理的低反射率晶圓或薄型晶圓[0.3~0.4mm(註1)(註2)]。 | |
高靈敏度 (HIGH) |
最高靈敏度與通常靈敏度兩種狀態之間。 | |
通常靈敏度 (MID) |
用於拋光晶圓等高反射率晶圓或3mm間距的檢測信號。 | |
低靈敏度 (LOW) |
可設定的最低靈敏度狀態。 |
(註1): | 檢測8英寸以下的晶圓時,可能會因晶圓間距、定位邊或表面的狀態等而影響檢測。 |
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(註2): | 對於經研磨後厚度變薄的晶圓,如果其端面呈刀刃狀,可能會因光線不能從檢測面向受光方向反射而難以檢測。 |
靈敏度切換開關 | 外部靈敏度切換輸入 | 靈敏度 | |
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0~3V或 9V~+V (26.4V MAX.) |
ON | 最高靈敏度 (MAX) |
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斷開或 4~8V | OFF | 通常靈敏度 (MID) |
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0~3V或 9V~+V (26.4V MAX.) |
ON | 高靈敏度 (HIGH) |
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斷開或 4~8V | OFF | 低靈敏度 (LOW) |
(註1):靈敏度詳情請參閱靈敏度切換設定。
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檢測信號寬度
(1) | 輸出寬度大於晶圓厚度的寬幅信號。 |
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(2) | 檢測信號的寬度隨檢測端面的光反射率而變化。 高反射率(拋光、鋁蒸鍍等):檢測信號寬度大 例): 晶圓厚度 t=0.6mm → 檢測信號寬度 約1.5mm 低反射率(氮化膜、氧化膜處理等):檢測信號寬度小 例): 晶圓厚度 t=0.6mm → 檢測信號寬度 約1.1mm |
(3) | 檢測信號的寬度隨檢測距離和檢測角度而變化。 |
窄間距檢測信號寬度
晶圓尺寸 | 通常間距 | 定位邊長度 | 晶圓厚度 | 交叉間距小 | 交叉間距大 |
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3inch(75mm) | 4.75mm | 22.2mm | 0.380mm | 1.58mm | 3.17mm |
4inch(100mm) | 4.75mm | 32.5mm | 0.625mm | 1.54mm | 3.21mm |
5inch(125mm) | 4.75mm | 42.5mm | 0.625mm | 1.52mm | 3.23mm |
6inch(150mm) | 4.75mm | 57.5mm | 0.675mm | 1.43mm | 3.33mm |
8inch(200mm) | 6.35mm | 59.3mm | 0.725mm | 2.19mm | 4.16mm |