PhotoMOSリレー GU 短絡保護機能付ノンラッチタイプ (6pin)

ラインアップ
- PhotoMOSリレー CC TSON 1b 容量絶縁方式の採用により、小型低背・低消費電流を実現 TSON 1bタイプ
- PhotoMOSリレー CC TSON 低C×R 小型サイズ低消費電流Max.0.2mAを実現した容量絶縁方式の半導体リレー
- PhotoMOSリレー GE 1a (4pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1a (6pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1a1b 高耐電圧5,000Vを実現 1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1b (4pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1b (6pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 2a 高耐電圧5,000Vを実現 2aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 2b 高耐電圧5,000Vを実現 2bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1a (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け1aタイプ（6pin）
- PhotoMOSリレー GU 1a カレントリミット機能付 (4pin) カレントリミット機能付高耐電圧5,000Vrmsタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1a 高容量 (4pin) 1.1A高容量制御を実現高耐電圧1aタイプ（4pin）
- PhotoMOSリレー GU 1a1b 微小アナログ信号制御可能汎用向け1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1b (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け1bタイプ（6pin）
- PhotoMOSリレー GU 2a 微小アナログ信号制御可能汎用向け2aタイプ
- PhotoMOSリレー GU 2b 微小アナログ信号制御可能汎用向け2bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 短絡保護機能付ノンラッチタイプ (6pin) 自己復帰型の短絡保護機能を実現負荷電圧60V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a (4pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1aタイプ（SOP4pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1aタイプ（SOP6pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a カレントリミット機能付 (4pin) カレントリミット機能付小型（SOP4pin）1aタイプ
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量低オン抵抗小型 ( SOP 4 pin ) 負荷電圧60 V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin) 小型（SOP4pin）形状にてシリーズMax. 1.8 A 高容量制御を実現
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin) 低オン抵抗低オン抵抗小型 (SOP 4pin) 負荷電圧200V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 短絡保護機能付ラッチタイプ (4pin) 短絡保護機能付を実現小型サイズ（SOP4pin）負荷電圧350V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a1b 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1a1bタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1b (4pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1bタイプ（SOP4pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1b (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1bタイプ（SOP6pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 2a 微小アナログ信号制御可能汎用小型2aタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 2b (8pin) 微小アナログ信号制御可能汎用小型2bタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー HE 1a DIP6 (5pin) 産業用バッテリーモニタリングシステム(BMS)用途に最適
- PhotoMOSリレー HE 1a (6pin) 低オン抵抗と経済性を両立
- PhotoMOSリレー HE 1a 高容量シリーズMax. 3.5Aの高電流制御が可能
- PhotoMOSリレー HE 1a 高容量 (6pin) シリーズMax. 3.5A負荷の高頻度開閉が可能
- PhotoMOSリレー HE 1b 低オン抵抗と経済性を両立させた1bタイプ
- PhotoMOSリレー HE 1a1b 低オン抵抗と経済性を両立させた1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー HE 2a 低オン抵抗と経済性を両立させた2aタイプ
- PhotoMOSリレー HE 2b 低オン抵抗と経済性を両立させた2bタイプ
- PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量シリーズMax. 3.3Aの高電流制御可能な小型パッケージ
- PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量 (6pin) 小型（SOP6pin）にてシリーズMax. 3 A制御を実現
- PhotoMOSリレー HF 1a (6pin) 低オン抵抗を実現 DC専用タイプも品揃え
- PhotoMOSリレー HF 1a 高容量負荷電圧1,200V 低オン抵抗1.0Ω（Typ.）を実現（DIP6pin）
- PhotoMOSリレー HF SSOP 1a 高容量負荷電圧600Vを小型パッケージ (SSOP) で実現
- PhotoMOSリレー HS 1a (6pin) 独自のMOS駆動回路により高感度を実現
- PhotoMOSリレー HS SOP 1a (4pin) 推奨入力LED電流2mAの高感度（低消費電流）小型SOPタイプ
- PhotoMOSリレー PD 1a シリーズMax. 2 A制御可能な小型高容量フラットパッケージ
- PhotoMOSリレーパワー 1a パワー制御可能なスリムSIL形状
- PhotoMOSリレーパワー 1a 高容量シリーズMax. 6Aまでのパワー制御が可能なスリムSIL形状
- PhotoMOSリレーパワー 1a DC 高容量シリーズMax. 10A制御可能なスリムSIL形状DC半導体リレー
- PhotoMOSリレーパワー 1a 電圧駆動パワー制御可能なスリム形状電圧駆動タイプ
- PhotoMOSリレーパワー 1b パワー制御可能なスリムSIL形状 1bタイプ
- PhotoMOSリレー RF SON C×R5 小型低背SONパッケージ C×R5：負荷電圧25V
- PhotoMOSリレー RF SON C×R10 小型低背SONパッケージ C×R10：負荷電圧40V
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低C×R (4pin) 低C×R 小型（SOP4pin）負荷電圧60V/80V
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a C×R10 (4pin) C×R10 小型（SOP4pin）負荷電圧40V
- PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin) 低オン抵抗負荷電圧200V/400V
- PhotoMOSリレー RF 2a 低オン抵抗低オン抵抗負荷電圧200V/400V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低オン抵抗 (6pin) 低オン抵抗小型（SOP6pin）負荷電圧200V/400V
- PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低オン抵抗低オン抵抗小型（SOP8pin）負荷電圧200V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低C×R 低C×R 小型（SOP8pin）負荷電圧250V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 4a 低C×R 低C×R 小型（SOP16pin）負荷電圧80V 4aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 4a C×R10 C×R10 小型（SOP16pin）負荷電圧40V 4aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SSOP 低C×R 低C×Rタイプ SSOP 負荷電圧60V/80V/100V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R3 C×R3タイプ SSOP 負荷電圧20V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R5 小型SSOP C×R5：負荷電圧25V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R10 小型SSOP C×R10：負荷電圧 30V/40V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP 低C×R 低C×Rタイプ VSSOP 負荷電圧 60V/100V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R3 C×R3タイプ VSSOP 負荷電圧20V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R5 実装底面積 4.6mm² C×R5 負荷電圧 25V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R10 実装底面積 4.6mm² C×R10 負荷電圧 30V/40V
- MOSFETドライバ豊富な品揃えのMOSFETドライバ
- MOSFETドライバ高出力タイプ MOSFETの高速動作化、低オン抵抗化に貢献する２品種をラインナップ
CAD　カタログ/データシート　　
よくあるご質問

定格・性能概要

定格

1.絶対最⼤定格（測定条件周囲温度：25℃）

項目		記号	AQV112KL(A)	備考
入力側	LED電流	I_F	50mA
	LED逆電圧	V_R	5V
	せん頭順電流	I_FP	1A	f=100Hz，デューティ比=0.1%
	許容損失	P_in	75mW
出力側	負荷電圧(DC)	V_L	7V～60V
	連続負荷電流(DC)	I_L	0.5A
	出力損失	P_out	500mW
全許容損失		P_T	550mW
耐電圧		V_iso	1,500Vrms
使用周囲温度		T_opr	−40～+85℃	（ただし、氷結・結露しないこと）
保存温度		T_stg	−40～+100℃
接合部温度		Tj	125℃

2.性能概要（測定条件周囲温度：25℃）

項目			記号	AQV112KL(A)	測定条件
入力	動作LED電流	平均	I_Fon	0.8mA	I_L=100mA
	動作LED電流	最大	I_Fon	10mA
	復帰LED電流	最小	I_Foff	0.3mA
	復帰LED電流	平均	I_Foff	0.7mA
	LED電圧降下	平均	V_F	1.35V(I_F=10mAのとき1.17V)	I_F=50mA
	LED電圧降下	最大	V_F	1.5V	I_F=50mA
出力	オン抵抗	平均	R_on	0.55Ω	I_F=10mA I_L=Max. 通電時間=1秒以下
	オン抵抗	最大	R_on	2.0Ω	I_F=10mA I_L=Max. 通電時間=1秒以下
	負荷短絡検出電圧^※	平均	V_LSHT	5V	I_F=10mA
	負荷短絡検出電圧^※	最大	V_LSHT	7V	I_F=10mA
	開路時漏れ電流	最大	I_Leak	1µA	I_F=0mA V_L=Max.
伝達特性	動作時間^※※	平均	T_on	2.0ms	I_F=10mA I_L=100mA V_L=10V
	動作時間^※※	最大	T_on	5.0ms
	復帰時間^※※	平均	T_off	0.1ms
	復帰時間^※※	最大	T_off	1.0ms
	入出力端子間容量	平均	C_iso	0.8pF	f=1MHz V_B=0V
	入出力端子間容量	最大	C_iso	1.5pF	f=1MHz V_B=0V
	入出力間絶縁抵抗	最小	R_iso	1,000MΩ	500V DC

注)	1.	※I_F=10ｍA(PhotoMOSリレーON状態)にて負荷側(4番端子(+)、6番端子(−))の電圧が、負荷短絡検出電圧以上になると負荷電流は発振します。
	2.	接続方法は内部ブロック図・端子結線図をご参照ください。