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PhotoMOSリレー HE 1a DIP6 (5pin)
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ラインアップ
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PhotoMOSリレー CC TSON 1b
容量絶縁方式の採用により、小型低背・低消費電流を実現 TSON 1bタイプ
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PhotoMOSリレー CC TSON 低C×R
小型サイズ 低消費電流Max.0.2mAを実現した容量絶縁方式の半導体リレー
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PhotoMOSリレー GE 1a (4pin)
高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
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PhotoMOSリレー GE 1a (6pin)
高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
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PhotoMOSリレー GE 1a1b
高耐電圧5,000Vを実現 1a1bタイプ
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PhotoMOSリレー GE 1b (4pin)
高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
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PhotoMOSリレー GE 1b (6pin)
高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
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PhotoMOSリレー GE 2a
高耐電圧5,000Vを実現 2aタイプ
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PhotoMOSリレー GE 2b
高耐電圧5,000Vを実現 2bタイプ
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PhotoMOSリレー GU 1a (6pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け1aタイプ（6pin）
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PhotoMOSリレー GU 1a カレントリミット機能付 (4pin)
カレントリミット機能付 高耐電圧5,000Vrmsタイプ
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PhotoMOSリレー GU 1a 高容量 (4pin)
1.1A高容量制御を実現 高耐電圧1aタイプ（4pin）
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PhotoMOSリレー GU 1a1b
微小アナログ信号制御可能 汎用向け1a1bタイプ
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PhotoMOSリレー GU 1b (6pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け1bタイプ（6pin）
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PhotoMOSリレー GU 2a
微小アナログ信号制御可能 汎用向け2aタイプ
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PhotoMOSリレー GU 2b
微小アナログ信号制御可能 汎用向け2bタイプ
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PhotoMOSリレー GU 短絡保護機能付ノンラッチタイプ (6pin)
自己復帰型の短絡保護機能を実現 負荷電圧60V
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a (4pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け小型1aタイプ（SOP4pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a (6pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け小型1aタイプ（SOP6pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a カレントリミット機能付 (4pin)
カレントリミット機能付 小型（SOP4pin）1aタイプ
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量
低オン抵抗 小型 ( SOP 4 pin ) 負荷電圧60 V
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin)
小型（SOP4pin）形状にてシリーズMax. 1.8 A 高容量制御を実現
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin) 低オン抵抗
低オン抵抗 小型 (SOP 4pin) 負荷電圧200V
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量電圧駆動 (4pin)
入力抵抗内蔵 1.25A高容量の電圧駆動1aタイプ
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a 短絡保護機能付ラッチタイプ (4pin)
短絡保護機能付を実現 小型サイズ（SOP4pin）負荷電圧350V
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PhotoMOSリレー GU SOP 1a1b
微小アナログ信号制御可能 汎用向け小型1a1bタイプ（SOP8pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 1b (4pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け小型1bタイプ（SOP4pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 1b (6pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用向け小型1bタイプ（SOP6pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 2a
微小アナログ信号制御可能 汎用小型2aタイプ（SOP8pin）
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PhotoMOSリレー GU SOP 2b (8pin)
微小アナログ信号制御可能 汎用小型2bタイプ（SOP8pin）
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PhotoMOSリレー HE 1a DIP6 (5pin)
産業用バッテリーモニタリングシステム(BMS)用途に最適
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PhotoMOSリレー HE 1a (6pin)
低オン抵抗と経済性を両立
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PhotoMOSリレー HE 1a 高容量
シリーズMax. 3.5Aの高電流制御が可能
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PhotoMOSリレー HE 1a 高容量 (6pin)
シリーズMax. 3.5A負荷の高頻度開閉が可能
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PhotoMOSリレー HE 1b
低オン抵抗と経済性を両立させた1bタイプ
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PhotoMOSリレー HE 1a1b
低オン抵抗と経済性を両立させた1a1bタイプ
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PhotoMOSリレー HE 2a
低オン抵抗と経済性を両立させた2aタイプ
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PhotoMOSリレー HE 2b
低オン抵抗と経済性を両立させた2bタイプ
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PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量
シリーズMax. 3.3Aの高電流制御可能な小型パッケージ
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PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量 (6pin)
小型（SOP6pin）にてシリーズMax. 3 A制御を実現
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PhotoMOSリレー HF 1a (6pin)
低オン抵抗を実現 DC専用タイプも品揃え
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PhotoMOSリレー HF 1a 高容量
負荷電圧1,200V 低オン抵抗1.0Ω（Typ.）を実現（DIP6pin）
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PhotoMOSリレー HF SSOP 1a 高容量
負荷電圧600Vを小型パッケージ (SSOP) で実現
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PhotoMOSリレー HS 1a (6pin)
独自のMOS駆動回路により高感度を実現
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PhotoMOSリレー HS SOP 1a (4pin)
推奨入力LED電流2mAの高感度（低消費電流）小型SOPタイプ
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PhotoMOSリレー PD 1a
シリーズMax. 2 A制御可能な小型高容量フラットパッケージ
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PhotoMOSリレー パワー 1a
パワー制御可能なスリムSIL形状
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PhotoMOSリレー パワー 1a 高容量
シリーズMax. 6Aまでのパワー制御が可能なスリムSIL形状
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PhotoMOSリレー パワー 1a DC 高容量
シリーズMax. 10A制御可能なスリムSIL形状DC半導体リレー
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PhotoMOSリレー パワー 1a 電圧駆動
パワー制御可能なスリム形状 電圧駆動タイプ
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PhotoMOSリレー パワー 1b
パワー制御可能なスリムSIL形状 1bタイプ
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PhotoMOSリレー RF SON C×R5
小型低背SONパッケージ C×R5：負荷電圧25V
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PhotoMOSリレー RF SON C×R10
小型低背SONパッケージ C×R10：負荷電圧40V
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PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低C×R (4pin)
低C×R 小型（SOP4pin） 負荷電圧60V/80V
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PhotoMOSリレー RF SOP 1a C×R10 (4pin)
C×R10 小型（SOP4pin）負荷電圧40V
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PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin)
低オン抵抗 負荷電圧200V/400V
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PhotoMOSリレー RF 2a 低オン抵抗
低オン抵抗 負荷電圧200V/400V 2aタイプ
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PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低オン抵抗 (6pin)
低オン抵抗 小型（SOP6pin） 負荷電圧200V/400V
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PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低オン抵抗
低オン抵抗 小型（SOP8pin） 負荷電圧200V 2aタイプ
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PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低C×R
低C×R 小型（SOP8pin） 負荷電圧250V 2aタイプ
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PhotoMOSリレー RF SOP 4a 低C×R
低C×R 小型（SOP16pin） 負荷電圧80V 4aタイプ
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PhotoMOSリレー RF SOP 4a C×R10
C×R10 小型（SOP16pin）負荷電圧40V 4aタイプ
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PhotoMOSリレー RF SOP 4a C×R10 電圧駆動
入力抵抗内蔵 C×R10 4a 電圧駆動タイプ
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PhotoMOSリレー RF SSOP 低C×R
低C×Rタイプ SSOP 負荷電圧60V/80V/100V
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PhotoMOSリレー RF SSOP C×R3
C×R3タイプ SSOP 負荷電圧20V
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PhotoMOSリレー RF SSOP C×R5
小型SSOP C×R5：負荷電圧25V
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PhotoMOSリレー RF SSOP C×R10
小型SSOP C×R10：負荷電圧 30V/40V
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PhotoMOSリレー RF SSOP C×R10 電圧駆動
入力抵抗内蔵 小型（SSOP）C×R10 電圧駆動タイプ
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PhotoMOSリレー RF VSSOP 低C×R
低C×Rタイプ VSSOP 負荷電圧 60V/100V
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PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R3
C×R3タイプ VSSOP 負荷電圧20V
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PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R5
実装底面積 4.6mm2 C×R5 負荷電圧 25V
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PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R10
実装底面積 4.6mm2 C×R10 負荷電圧 30V/40V
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MOSFETドライバ
豊富な品揃えのMOSFETドライバ
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MOSFETドライバ 高出力タイプ
MOSFETの高速動作化、低オン抵抗化に貢献する２品種をラインナップ
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- CAD カタログ/データシート
- よくあるご質問
産業用バッテリーモニタリングシステム(BMS)用途に最適
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UL
を取得しています。
機器設計の際は、『最新の商品仕様書』にてご確認願います。
使用上の注意事項は、カタログ/データシートや、関連情報をご覧ください。
特長
1.負荷電圧: 1,500 V
2.負荷電流: 20 mA
3.DIP6pinパッケージに対し、出力端子間距離を拡大
用途
1.絶縁検知
2.電圧監視
3.信号制御
注) 車載用途にPhotoMOSリレーをご検討の場合は当社営業担当までお問い合わせください。
技術サポート
ご注文・ご使用に際してのお願い（制御部品・電子デバイス）［特定商品を除く］
ご注文・ご使用に際してのお願い（制御部品・電子デバイス）［特定商品］
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