PhotoMOSリレー HE 1a DIP6 (5pin)
定格
1.絶対最⼤定格(測定条件 周囲温度:25℃)
項目 |
記号 |
AQV258H5(A) |
備考 |
入力側 |
LED電流 |
IF |
50 mA |
|
LED逆電圧 |
VR |
5 V |
|
せん頭順電流 |
IFP |
1 A |
f = 100Hz、デューティ比 = 0.1 % |
許容損失 |
Pin |
75 mW |
|
出力側 |
負荷電圧(ピークAC) |
VL |
1,500 V |
|
連続負荷電流 |
IL |
0.02 A |
ピークAC、DC |
ピーク負荷電流 |
Ipeak |
0.06 A |
100 ms(1shot)、VL = DC |
出力損失 |
Pout |
360 mW |
|
全許容損失 |
PT |
410 mW |
|
耐電圧 |
Viso |
5,000 Vrms |
|
使用周囲温度 |
Topr |
−40~+85℃ |
(ただし、氷結・結露しないこと) |
保存温度 |
Tstg |
−40~+100℃ |
|
接合部温度 |
Tj |
125°C |
|
2.性能概要(測定条件 周囲温度:25℃)
項目 |
記号 |
AQV258H5(A) |
測定条件 |
入力 |
動作LED電流 |
平均 |
IFon |
1.4 mA |
IL = Max. |
最大 |
3.0 mA |
復帰LED電流 |
最小 |
IFoff |
0.2 mA |
平均 |
1.3 mA |
LED電圧降下 |
平均 |
VF |
1.32 V(IF = 10mAのとき1.16 V) |
IF = 50 mA |
最大 |
1.5 V |
出力 |
オン抵抗 |
平均 |
Ron |
315 Ω |
IF = 10 mA、IL = Max.
通電時間= 1秒以下 |
最大 |
500 Ω |
開路時漏れ電流 |
最大 |
ILeak |
10 µA |
IF = 0 mA、VL = Max. |
伝達特性 |
動作時間※ |
平均 |
Ton |
0.35 ms |
IF = 10 mA、IL = Max. |
最大 |
1.0 ms |
復帰時間※ |
平均 |
Toff |
0.04 ms |
最大 |
0.2 ms |
入出力端子間容量 |
平均 |
Ciso |
1.3 pF |
f = 1 MHz、VB = 0V |
最大 |
3 pF |
入出力間絶縁抵抗 |
最小 |
Riso |
1,000 MΩ |
500 V DC |
3.推奨動作条件(測定条件 周囲温度:25℃)
期待される性能を得るために次の条件でのご使⽤をおすすめいたします。
項目 |
記号 |
最小 |
最大 |
単位 |
LED電流 |
IF |
5 |
30 |
mA |
AQV258H5(A) |
負荷電圧(ピークAC)
| VL |
ー |
1,200 |
V |
連続負荷電流 |
IL |
ー |
0.02 |
A |
ページトップへ戻る
ページトップへ戻る