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PhotoMOSリレー RF SOP 4a C×R10 電圧駆動

ラインアップ
- PhotoMOSリレー CC TSON 1b 容量絶縁方式の採用により、小型低背・低消費電流を実現 TSON 1bタイプ
- PhotoMOSリレー CC TSON 低C×R 小型サイズ低消費電流Max.0.2mAを実現した容量絶縁方式の半導体リレー
- PhotoMOSリレー GE 1a (4pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1a (6pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1a1b 高耐電圧5,000Vを実現 1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1b (4pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 1b (6pin) 高耐電圧5,000Vを実現 1bタイプ
- PhotoMOSリレー GE 2a 高耐電圧5,000Vを実現 2aタイプ
- PhotoMOSリレー GE 2b 高耐電圧5,000Vを実現 2bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1a (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け1aタイプ（6pin）
- PhotoMOSリレー GU 1a カレントリミット機能付 (4pin) カレントリミット機能付高耐電圧5,000Vrmsタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1a 高容量 (4pin) 1.1A高容量制御を実現高耐電圧1aタイプ（4pin）
- PhotoMOSリレー GU 1a1b 微小アナログ信号制御可能汎用向け1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 1b (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け1bタイプ（6pin）
- PhotoMOSリレー GU 2a 微小アナログ信号制御可能汎用向け2aタイプ
- PhotoMOSリレー GU 2b 微小アナログ信号制御可能汎用向け2bタイプ
- PhotoMOSリレー GU 短絡保護機能付ノンラッチタイプ (6pin) 自己復帰型の短絡保護機能を実現負荷電圧60V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a (4pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1aタイプ（SOP4pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1aタイプ（SOP6pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a カレントリミット機能付 (4pin) カレントリミット機能付小型（SOP4pin）1aタイプ
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量低オン抵抗小型 ( SOP 4 pin ) 負荷電圧60 V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin) 小型（SOP4pin）形状にてシリーズMax. 1.8 A 高容量制御を実現
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 高容量 (4pin) 低オン抵抗低オン抵抗小型 (SOP 4pin) 負荷電圧200V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a 短絡保護機能付ラッチタイプ (4pin) 短絡保護機能付を実現小型サイズ（SOP4pin）負荷電圧350V
- PhotoMOSリレー GU SOP 1a1b 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1a1bタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1b (4pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1bタイプ（SOP4pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 1b (6pin) 微小アナログ信号制御可能汎用向け小型1bタイプ（SOP6pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 2a 微小アナログ信号制御可能汎用小型2aタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー GU SOP 2b (8pin) 微小アナログ信号制御可能汎用小型2bタイプ（SOP8pin）
- PhotoMOSリレー HE 1a DIP6 (5pin) 産業用バッテリーモニタリングシステム(BMS)用途に最適
- PhotoMOSリレー HE 1a (6pin) 低オン抵抗と経済性を両立
- PhotoMOSリレー HE 1a 高容量シリーズMax. 3.5Aの高電流制御が可能
- PhotoMOSリレー HE 1a 高容量 (6pin) シリーズMax. 3.5A負荷の高頻度開閉が可能
- PhotoMOSリレー HE 1b 低オン抵抗と経済性を両立させた1bタイプ
- PhotoMOSリレー HE 1a1b 低オン抵抗と経済性を両立させた1a1bタイプ
- PhotoMOSリレー HE 2a 低オン抵抗と経済性を両立させた2aタイプ
- PhotoMOSリレー HE 2b 低オン抵抗と経済性を両立させた2bタイプ
- PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量シリーズMax. 3.3Aの高電流制御可能な小型パッケージ
- PhotoMOSリレー HE SOP 1a 高容量 (6pin) 小型（SOP6pin）にてシリーズMax. 3 A制御を実現
- PhotoMOSリレー HF 1a (6pin) 低オン抵抗を実現 DC専用タイプも品揃え
- PhotoMOSリレー HF 1a 高容量負荷電圧1,200V 低オン抵抗1.0Ω（Typ.）を実現（DIP6pin）
- PhotoMOSリレー HF SSOP 1a 高容量負荷電圧600Vを小型パッケージ (SSOP) で実現
- PhotoMOSリレー HS 1a (6pin) 独自のMOS駆動回路により高感度を実現
- PhotoMOSリレー HS SOP 1a (4pin) 推奨入力LED電流2mAの高感度（低消費電流）小型SOPタイプ
- PhotoMOSリレー PD 1a シリーズMax. 2 A制御可能な小型高容量フラットパッケージ
- PhotoMOSリレーパワー 1a パワー制御可能なスリムSIL形状
- PhotoMOSリレーパワー 1a 高容量シリーズMax. 6Aまでのパワー制御が可能なスリムSIL形状
- PhotoMOSリレーパワー 1a DC 高容量シリーズMax. 10A制御可能なスリムSIL形状DC半導体リレー
- PhotoMOSリレーパワー 1a 電圧駆動パワー制御可能なスリム形状電圧駆動タイプ
- PhotoMOSリレーパワー 1b パワー制御可能なスリムSIL形状 1bタイプ
- PhotoMOSリレー RF SON C×R5 小型低背SONパッケージ C×R5：負荷電圧25V
- PhotoMOSリレー RF SON C×R10 小型低背SONパッケージ C×R10：負荷電圧40V
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低C×R (4pin) 低C×R 小型（SOP4pin）負荷電圧60V/80V
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a C×R10 (4pin) C×R10 小型（SOP4pin）負荷電圧40V
- PhotoMOSリレー RF 1a 低オン抵抗 (6pin) 低オン抵抗負荷電圧200V/400V
- PhotoMOSリレー RF 2a 低オン抵抗低オン抵抗負荷電圧200V/400V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 1a 低オン抵抗 (6pin) 低オン抵抗小型（SOP6pin）負荷電圧200V/400V
- PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低オン抵抗低オン抵抗小型（SOP8pin）負荷電圧200V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 2a 低C×R 低C×R 小型（SOP8pin）負荷電圧250V 2aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 4a 低C×R 低C×R 小型（SOP16pin）負荷電圧80V 4aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SOP 4a C×R10 C×R10 小型（SOP16pin）負荷電圧40V 4aタイプ
- PhotoMOSリレー RF SSOP 低C×R 低C×Rタイプ SSOP 負荷電圧60V/80V/100V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R3 C×R3タイプ SSOP 負荷電圧20V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R5 小型SSOP C×R5：負荷電圧25V
- PhotoMOSリレー RF SSOP C×R10 小型SSOP C×R10：負荷電圧 30V/40V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP 低C×R 低C×Rタイプ VSSOP 負荷電圧 60V/100V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R3 C×R3タイプ VSSOP 負荷電圧20V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R5 実装底面積 4.6mm² C×R5 負荷電圧 25V
- PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R10 実装底面積 4.6mm² C×R10 負荷電圧 30V/40V
- MOSFETドライバ豊富な品揃えのMOSFETドライバ
- MOSFETドライバ高出力タイプ MOSFETの高速動作化、低オン抵抗化に貢献する２品種をラインナップ
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よくあるご質問

受注終了予定

	2023年09月30日

基本情報

受注終了予定
品番

定格・性能概要

寸法図

定格

1.絶対最⼤定格（測定条件周囲温度：25℃）

項目		記号	AQS221FR2S	AQS221FN2S	備考
入力側	入力電圧	V_IN	6 V
	入力逆電圧	V_RIN	5 V
	許容損失	P_in	260mW		1 aあたりは65 mW
出力側	負荷電圧（ピークAC）	V_L	40 V
	連続負荷電流	I_L	0.16 A	0.06 A	ピークAC, DC
	ピーク負荷電流	I_peak	0.2 A	0.12 A	100 ms（1 shot）, V_L = DC
	出力損失	P_out	600 mW
全許容損失		P_T	650 mW
耐電圧		V_iso	500 Vrms
使用周囲温度		T_opr	-40～+85℃		（ただし, 氷結・結露しないこと）
保存温度		T_stg	-40～+100℃
接合部温度		T_j	125℃

2.性能概要（測定条件周囲温度：25℃）

項目			記号	AQS221FR2S	AQS221FN2S	測定条件
入力	動作電圧	平均	V_Fon	1.3 V		I_L = Max.
	動作電圧	最大	V_Fon	4 V
	復帰電圧	最小	V_Foff	0.8 V
	復帰電圧	平均	V_Foff	1.3 V
	入力電流	平均	I_IN	8.5 mA		V_IN = 5 V
出力	オン抵抗	平均	R_on	0.75 Ω	9.5 Ω	V_IN = 5 V, I_L = Max. 通電時間 = 1秒以下
	オン抵抗	最大	R_on	1.25 Ω	12.5 Ω	V_IN = 5 V, I_L = Max. 通電時間 = 1秒以下
	出力端子間容量	平均	C_out	12.5 pF	1 pF	V_IN = 0 V, V_B = 0 V, f = 1 MHz
	出力端子間容量	最大	C_out	18 pF	1.5 pF	V_IN = 0 V, V_B = 0 V, f = 1 MHz
	開路時漏れ電流	平均	I_Leak	0.02 nA	0.01 nA	V_IN = 0 V, V_L = Max.
	開路時漏れ電流	最大	I_Leak	10 nA		V_IN = 0 V, V_L = Max.
伝達特性	動作時間^※	平均	T_on	0.07 ms	0.02 ms	AQS221FR2S: V_IN = 5 V，V_L = 10V，R_L = 80 Ω AQS221FN2S: V_IN = 5 V，V_L = 10 V，R_L = 500 Ω
	動作時間^※	最大	T_on	0.5 ms
	復帰時間^※	平均	T_off	0.07 ms	0.02 ms
	復帰時間^※	最大	T_off	0.2 ms
	入出力端子間容量	平均	C_iso	0.8 pF		f = 1 MHz, V_B = 0 V
	入出力端子間容量	最大	C_iso	1.5 pF		f = 1 MHz, V_B = 0 V
	入出力間絶縁抵抗	最小	R_iso	1,000 MΩ		500 V DC

注）	1.	接続方法は内部ブロック図・端子結線図をご覧ください。
	2.	入力電圧・定格・性能の変更に関するご要望は当社営業所までお問い合わせください。

※	動作・復帰時間

3.推奨動作条件（測定条件周囲温度：25℃）

期待される性能を得るために次の条件でのご使⽤をおすすめいたします。

項目		記号	最小	最大	単位
入力電圧		V_IN	4.5	5.5	V
AQS221FR2S	負荷電圧（ピークAC）	V_L	—	15	V
AQS221FR2S	連続負荷電流	I_L	—	0.16	A
AQS221FN2S	負荷電圧（ピークAC）	V_L	—	15	V
AQS221FN2S	連続負荷電流	I_L	—	0.06	A